Tipos de encapsulados (packages) de transistores

El encapsulado (package) del transistor define su forma física, disipación térmica, montaje (through-hole, SMD) y número de patillas. Aquí los más comunes en potencia y señal, con dimensiones clave.

Encapsulados metálicos (Through-hole, potencia media/alta)

TO-3 (TO-204)

• Cilíndrico metálico (acero/aluminio), 2 patillas + carcasa (colector/drain suele ir a carcasa).
• Dimensiones: ~39 mm diámetro, 27 mm alto. Rosca M3 para tornillo a disipador.
• Potencia: hasta 150-200 W con buen disipador. Transistores de potencia clásicos (2N3055, MJ2955, BU208).
• 3 terminales (Base, Emisor, Colector=carcasa).

TO-8

• Metálico tipo "píldora" (aluminio), más pequeño que TO-3.
• Altura: 11,1 mm (0,437"). Dual-level sunburst (aletas internas).
• Potencia media (5-10 W). RF, driver de potencia.

TO-66 / TO-59

• Similares a TO-3 pero más pequeños (TO-66 ~25 mm). Potencia media (20-50 W).

Encapsulados plásticos con pestaña (Through-hole, potencia media)

TO-220 (TO-220AB)

• El estándar de potencia through-hole. Plástico (epoxi) con pestaña metálica (colector/drain) con agujero M3.
• Dimensiones: 19,1 mm (0,75") alto. 3 patillas (Gate/Base, Colector/Drain, Emisor/Source).
• Montaje vertical u horizontal. Potencia: 30-100 W con disipador. Ubiquo: MOSFETs, BJTs, reguladores (LM7805, LD1084).
• Variantes: TO-220F (aislado, pestaña no conectada), TO-220FP (full pack).

TO-220FP / TO-220F

• Pestaña aislada eléctricamente (cerámica/película). Permite montar varios en mismo disipador sin aislar. Menor disipación térmica que TO-220 estándar.

TO-247 (TO-3P)

• Versión grande de TO-220 para >100 W. 3 patillas más gruesas, pestaña mayor. Común en MOSFETs/IGBTs de potencia (600-1200 V).

Encapsulados SMD (Montaje superficial)

SOT-23 / SOT-23-3 / SOT-23-5 / SOT-23-6

• Minúsculos (2,9 x 1,3 x 1,0 mm). 3-6 patillas. Señal pequeña, baja potencia (<500 mW). Ubicuos en placas modernas.

SOT-89

• 3 patillas, pestaña térmica en bottom. Potencia ~1-2 W en PCB con cobre. Reguladores, drivers, MOSFETs pequeños.

DPAK (TO-252) / D2PAK (TO-263)

• SMD de potencia. Pestaña soldada a pad de cobre en PCB (disipación). DPAK: ~6,5 x 9,5 mm, 3 patillas. D2PAK: mayor, hasta 50-100 W en buen PCB. Muy comunes en fuentes conmutadas, MOSFETs potencia.

TO-223 (TO-261 / SOT-223)

• SMD 4 patillas (una pestaña térmica). "Twisted fin vertical". Altura 30 mm (1,18") — nota: el dato original parece referirse a versión through-hole; SOT-223 real es ~1,8 mm alto. Potencia ~2-3 W en PCB.

Multiwatt (Multiwatt11, Multiwatt15)

• Encapsulado plástico en línea (SIP) con 11 o 15 patillas, pestaña de montaje vertical. Para circuitos integrados de potencia (amplificadores audio TDA7xxx, drivers motor L298, reguladores). Altura 55,1 mm (2,168"). Disipador integrado en pestaña.

Tabla rápida de referencia

Package	Montaje	Potencia típica	Aplicación
TO-3	TH, tornillo	100-200 W	Potencia clásica, audio, lineal
TO-220	TH, tornillo	30-100 W	Estándar potencia: MOSFET, BJT, reg.
TO-247	TH, tornillo	100-300 W	MOSFET/IGBT alta tensión
SOT-23	SMD	<0,5 W	Señal, lógica, pequeña señal
SOT-223	SMD	1-3 W	Reguladores, drivers, MOSFETs pequeños
DPAK (TO-252)	SMD	10-50 W	Potencia SMD: fuentes, motor, DC-DC
D2PAK (TO-263)	SMD	50-150 W	Potencia SMD alta
Multiwatt	TH, tornillo	20-100 W (IC)	Amplificadores audio IC, drivers motor

Al diseñar: elige package según disipación necesaria, espacio, montaje (TH vs SMD) y si necesitas aislamiento eléctrico (TO-220F, aislar con mica/pad). El datasheet da R_θJC (juncción-carcasa) y R_θJA (juncción-ambiente) para calcular disipador.