Cómo Sesgo un transistor de efecto de campo

de efecto de campo ( FET) Transistores difieren de Transistores de unión bipolar ( BJT BJTs ) porque son de corriente controlada , mientras que los FET son controlado por tensión . Esto debe tenerse en cuenta durante el empuje . Básicamente , hay tres formas comunes de desviar Transistores de efecto campo . Se fijan sesgo , la auto- parcialidad y el sesgo del divisor de tensión . Un pequeño flujo de corriente en el FET resultados en una muy alta impedancia de entrada que también afecta a la polarización que se aplica a ejecutar el transistor . Instrucciones
fijo Sesgo Matemáticas 1

Conecte un condensador de acoplamiento ( C1) y una resistencia ( Rg ) al terminal de puerta del FET.
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Conecte una puerta - fuente tensión ( VGS ) con el terminal negativo conectado a un extremo de la Rg . Mantenga el terminal de fuente del FET positiva a la puerta . Se aplica una señal a través del condensador y se desarrolla a través del resistor
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Calcular la caída de tensión DC ( Vg ) en todo el Rg , utilizando la siguiente fórmula : .

Vg = Ig Rg

Desde la puerta siempre es negativa con respecto a la fuente , no fluye corriente a través de la Rg y la corriente terminal de puerta es por lo tanto 0 :

Ig = 0Vds = Vdd - Id RDVs = 0VVc = VdsV = VgsVgs = - VGG

Dónde :

Vs - voltageVds fuente - voltageVgs fuente de drenaje - fuente de voltaje Puerta
autopolarización
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Conecte el terminal positivo de la VGS a la fuente y su terminal negativo a la puerta
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Conecte dos resistencias : . uno al otro lado de la puerta y el Rg , y el otro a través de la . origen y los Rs
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Determine la tensión en los Rs utilizando la siguiente fórmula :

Vs = Id Rs

Dónde :

currentVgs Drain = Vg - - Id Vs = 0- IDRS = -Id RS