Especificaciones del transistor 2N3055

Los transistores de potencia como el 2N3055 actúan como amplificadores que colectan y emiten corrientes a través de base metálica. Sirven como interruptores desviadores de corriente en numerosos dispositivos electrónicos, de TVs a reguladores de voltaje. El 2N3055 es un transistor de potencia de silicio complementario común producido por numerosas empresas. Aunque muchos fabricantes lo ofrecen, sus especificaciones son iguales entre marcas.

Datos básicos

El transistor de potencia 2N3055 es un transistor NPN epitaxial planar de silicio con encapsulado metálico Jedec TO-3. Fabricantes: ST Microelectronics, Siemens, Motorola, Microsemi, Central Semiconductor Corporation. Recomiendan su uso en amplificadores de alta fidelidad, etapas de salida, circuitos de conmutación de potencia y reguladores serie y derivación.

Valores nominales

En transistores, los fabricantes definen dispositivos por sus valores máximos absolutos de corriente. El 2N3055 tiene: tensión colector-base máx. 100 V; tensión colector-emisor VCER máx. 70 V; tensión colector-emisor VCEO máx. 60 V. Tensión emisor-base VEBO 7 V. Corriente de colector máx. absoluta 15 A; corriente de base 7 A. Disipación total 115 W.

Especificaciones térmicas

Temperatura máxima de unión en funcionamiento: 200 °C (392 °F). Almacenamiento: -65 a 200 °C. Resistencia térmica unión-carcasa máx.: 1,5 °C/W, medida de capacidad de transferencia de calor.

Especificaciones eléctricas

Bajo prueba 100 V: corte de colector ICEX 1 mA y corriente 5 mA. A 30 V: corte ICEO máx. 0,7 mA. Tensión de sostenimiento colector-emisor VCEO mín. 60 V; ganancia de corriente DC máx. 70; frecuencia de transición 3 MHz; corriente de colector de segunda ruptura 2,87 A.