Voltaje Puerta-Fuente del JFET de Canal N: Debe Ser Negativo

V_GS < 0 para operación normal

Un JFET de canal N requiere un voltaje puerta-fuente negativo (V_GS) para controlar la conducción del canal.

Física del dispositivo

• Canal: Silicio tipo N (electrones = portadores mayoritarios).
• Puerta: Región tipo P que forma una unión PN con el canal.
• Polarización nula (V_GS = 0): La unión está agotada pero el canal está abierto → corriente máxima (I_DSS).
• V_GS negativo: Polariza inversamente la unión puerta-canal → la región de agotamiento se ensancha hacia el canal → el canal se estrecha → la corriente de drenaje disminuye.
• Pellizcado (V_GS = V_P < 0): Las regiones de agotamiento se encuentran → el canal está completamente pellizcado → I_D ≈ 0.

Región de operación

V_P < V_GS ≤ 0 (por ejemplo, V_P = −4 V → operar de −4 V a 0 V).

Contraste: MOSFET de canal N (realce)

• Requiere V_GS positivo > V_th para crear el canal.
• El JFET es de agotamiento (normalmente ENCENDIDO); el MOSFET es de realce (normalmente APAGADO).

Este requisito de V_GS negativo es por lo que los JFET necesitan una fuente negativa o accionamiento con desplazamiento de nivel en muchos circuitos.