Cómo funciona un sensor de imagen CMOS: de píxel a señal digital
Operación del sensor CMOS: paso a paso
Un sensor de imagen CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) convierte la luz en datos de imagen digital usando circuitos paralelos integrados en el chip — la tecnología dominante en cámaras modernas, teléfonos y sensores.
1. Captura de fotones (fotodiodo)
Cada píxel contiene un fotodiodo enterrado (PPD). Los fotones incidentes generan pares electron-hueco. Los electrones se recolectan en un pozo de potencial. Capacidad = capacidad de pozo completo (p. ej., 20,000–100,000 e⁻).
2. Conversión de carga a voltaje (amplificador en el píxel)
El transistor seguidor de fuente (o arquitectura de píxel 3T/4T/5T) convierte la carga acumulada en voltaje en cada píxel. Esta es la diferencia clave con CCD (un solo amplificador de salida).
3. Lectura paralela por filas
- La línea de selección de fila activa una fila a la vez.
- Los voltajes de los píxeles se enrutan a través de buses de columna a ADCs paralelos por columna (convertidores analógico-digital) en la parte inferior/superior del arreglo.
- Cada columna tiene su propio ADC (o compartido entre 2 columnas) → paralelismo masivo.
4. Procesamiento de señal en el chip
- Muestreo Doble Correlacionado (CDS): Resta el ruido de reinicio (ruido kTC) — crítico para bajo ruido de lectura.
- Ganancia digital, corrección de compensación, corrección de FPN de columna.
- Bineado, HDR (múltiples exposiciones), extracción de datos de AF por detección de fase.
5. Salida
Flujo de píxeles digital (MIPI CSI-2, SLVS-EC, HiSPi, paralelo) → Procesador de Señal de Imagen (ISP) → procesamiento adicional (desmosaico, NR, mapeo de tonos, compresión) → almacenamiento/pantalla.
Resumen CMOS vs. CCD
| Aspecto | CMOS | CCD |
|---|---|---|
| Lectura | Paralela (ADC por columna) | Serial (salida única) |
| Energía | Baja (mW) | Alta (100s mW–W) |
| Velocidad | Alta (100s fps) | Baja (pocos fps) |
| Integración | Alta (ISP, AF, lógica en chip) | Baja (chips separados) |
| Ruido | Bajo (con CDS, BSI) | Muy bajo (históricamente) |
| Obturador global | Posible (píxeles de obturador global, apilado) | Nativo |
| Costo | Bajo (fabricación CMOS estándar) | Alto (proceso especializado) |
Avances modernos
- BSI (Iluminación por la parte trasera): Cableado detrás del fotodiodo → mayor QE, píxeles más pequeños.
- CMOS apilado: Capa de píxeles + capa de lógica (DRAM, ISP) unidos → velocidad, obturador global, HDR multiframe.
- Quad Bayer / Tetracell: 4 píxeles del mismo color comparten microlente → bineado para poca luz, remosaico para alta resolución.
CMOS ganó al escalar con la Ley de Moore. Hoy los sensores de 1 pulgada, APS-C, full-frame y teléfonos son todos CMOS — y mejoran cada generación.
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