Cómo probar un tiristor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Un SCR (tiristor) es un diodo controlado: conduce en directo solo si recibe pulso en gate (gate trigger). En inverso bloquea hasta tensión de ruptura. Test completo requiere fuente dual y verificación de 3 estados.

Materiales

• Fuente DC variable dual (o 2 fuentes independientes) con lectura V y A simultánea
• 4 cables con pinzas cocodrilo
• Placa de pruebas / protoboard / zócalo SCR
• Multímetro (verificación complementaria)

Procedimiento de test dinámico

1. Monta SCR en placa con acceso a A (ánodo), K (cátodo), G (gate).
2. Polarización directa (forward bias): Fuente 1: + → A, - → K. Ajusta 6 V DC. Debe circular corriente (SCR encendido por gate flotante o fuga). Si no → SCR abierto (fallo).
3. Polarización inversa (reverse bias): Apaga Fuente 1. Invierte: + → K, - → A. Enciende. Sube tensión hasta máx fuente o ~50 % VDRM (tensión inversa repetitiva pico). Debe haber < 1 mA (corriente de fuga). Si conduce → SCR en cortocircuito (fallo).
4. Test de gate (disparo): Baja Fuente 1 a tensión de trabajo esperada. Apaga. Conecta Fuente 2: + → G, - → K (común con - Fuente 1). Fuente 2 a 0 V. Enciende Fuente 1 (inversa). Enciende Fuente 2 y sube lentamente hasta Vgt (tensión disparo gate, típ. 0,6–1,5 V). Debe aparecer corriente en Fuente 1 (SCR dispara).
5. Latch (mantenimiento): Baja Fuente 2 a 0 V. La corriente en Fuente 1 debe mantenerse (SCR se auto-sostiene mientras I > I_H, corriente de mantenimiento). Si cae a 0 → fallo (I_H muy alta / SCR defectuoso).
6. Apagado: Apaga Fuente 1 → corriente cae a 0. Vuelve a polarización directa (paso 2) y repite test gate para confirmar.

Parámetros clave (hoja de datos): VDRM / VRRM (tensión bloqueo), ID / IT(RMS) (corriente continua), VGT / IGT (disparo gate), IH (mantenimiento), dv/dt (inmunidad), di/dt, tq (apagado). Test con multímetro (óhmetro) solo detecta cortos/abiertos groseros, NO valida disparo/latch.