Cómo funcionan los FET de microondas: Estructura, terminales y polarización

El primer transistor se creó en 1925 y desde entonces se han inventado varios tipos. Los circuitos, tanto digitales como analógicos, contienen transistores de efecto de campo (FET). El MOSFET (metal-óxido-semiconductor) es el tipo más común. Los FET también se usan en ingeniería de microondas. El FET de microondas más común es el MESFET (metal-semiconductor). Los FET son dispositivos de tres terminales capaces de amplificación y conmutación en microondas.

Instrucciones / Conceptos clave

1. Tres terminales: gate (compuerta), source (fuente) y drain (drenaje). Gate = entrada; source = siempre a tierra; drain = salida. El voltaje de salida se controla con el de entrada: configuración "common source" (fuente común).

2. Conexión source: se refiere a los electrones en el canal. El drain es donde se drenan. La corriente fluye positiva del drain al source.

3. Canal FET: conecta drain y source mediante contactos óhmicos metálicos. Ocurre cuando hay una mesa de semiconductor tipo N (para FET de canal N) sobre sustrato GaAs semi-aislante. Los FET de canal P son posibles pero rara vez se usan por su mal rendimiento.

4. Gate al canal: se conecta vía drain y source usando contacto metálico Schottky. Al polarizar inversamente el gate, conduce corriente DC nula al canal, pero su campo eléctrico desplaza electrones del canal. Si se agotan los electrones bajo el gate, cesa la corriente drain-source.