Cómo diseñar con transistores de efecto de campo (FET)

Los FET (transistores de efecto de campo) son similares a los bipolares (BJT) con pequeñas diferencias, por lo que pueden usarse casi indistintamente en diseños de transistores. Son preferibles en alta corriente porque son más fáciles de polarizar (driven by very small currents). Diseñar con FET implica verificar que se cumplen las condiciones para que el circuito opere según especificaciones.

Instrucciones

1. Nivel de inestabilidad permitido: Todo circuito tiene inestabilidad. Reduzca el factor de estabilidad seleccionando cuidadosamente las admitancias de fuente y carga, típicamente con realimentación (feedback).

2. ¿Usar realimentación? Aplíquela solo si se necesita estabilidad en amplificadores sintonizados de alta frecuencia, aislamiento entrada-salida, o modificar ganancia y admitancias terminales.

3. Calcule admitancias de fuente y carga: Determinan en gran medida la estabilidad del circuito.

4. Use topología de red adecuada: Considerando las admitancias calculadas. Ej.: diseño amplificador de dos puertos para alta frecuencia.