Cómo Polarizar (Sesgar) un Transistor de Efecto de Campo (FET)

Los transistores de efecto de campo (FET) difieren de los bipolares (BJT) porque los BJT son controlados por corriente, mientras los FET por voltaje. Esto debe considerarse en la polarización (bias). Básicamente hay tres formas comunes de polarizar FETs: polarización fija, auto-polarización y polarización por divisor de voltaje. Una pequeña corriente en FETs resulta en impedancia de entrada muy alta que también afecta el bias aplicado.

Polarización Fija (Fixed Bias)

  1. Conecta un condensador de acoplamiento (C1) y una resistencia (Rg) al terminal de gate (compuerta) del FET.

  2. Conecta un voltaje gate-fuente (VGS) con terminal negativo a un extremo de Rg. Mantén el terminal source (fuente) del FET positivo respecto al gate. Una señal se aplica a través del condensador y se desarrolla a través de la resistencia.

  3. Calcula la caída de voltaje DC (Vg) a través de Rg:

    Vg = Ig × Rg

    Como el gate siempre es negativo respecto al source, no fluye corriente por Rg y la corriente de gate es 0:

    Ig = 0
    Vds = Vdd − Id × Rd
    Vs = 0V
    Vc = Vds
    V = Vgs
    Vgs = −Vgg

    Donde: Vs = voltaje source; Vds = voltaje drain-source; Vgs = voltaje gate-source.

Auto-Polarización (Self-Bias)

  1. Conecta el terminal positivo de VGS al source y el negativo al gate.

  2. Conecta dos resistencias: una entre gate y Rg, otra entre source y Rs.

  3. Determina el voltaje a través de Rs:

    Vs = Id × Rs

    Donde: Id = corriente de drain; Vgs = Vg − Vs = 0 − Id×Rs = −Id×Rs

    La caída de voltaje en Rs proporciona el voltaje de polarización (VGS) necesario.

Polarización por Divisor de Voltaje (Voltage-Divider Bias)

  1. Conecta un circuito divisor de voltaje (ver diagrama en referencias).

  2. Polariza inversamente el gate para que no fluya corriente por él.

  3. Determina el voltaje de gate:

    Vg = (Vdd / (Rg1 + Rg2)) × Rg2

    Donde: Vg = voltaje gate; Vdd = voltaje en terminal drain; Rg1 = resistencia entre gate y drain; Rg2 = resistencia entre gate y terminal de batería.