Características fundamentales del diodo láser
Un diodo láser (LD) es dispositivo semiconductor que emite luz coherente, monocromática y direccional mediante emisión estimulada en una cavidad resonante (Fabry-Perot). Base de: comunicaciones fibra, lectores CD/DVD/BD, impresoras láser, escáneres códigos barras, LiDAR, corte/grabado, medicina, sensores.
Estructura física
- Unión p-n: GaAs, InGaAsP, AlGaAs, InGaN, GaN (según λ). Capa activa (quantum well) entre capas de confinamiento.
- Cavidad resonante: Dos espejos paralelos (faceta cleavage) reflectividad R1≈0.9 (trasera, HR coating), R2≈0.3 (frontal, AR coating). Longitud 100-1000 µm.
- Guiado de onda: Índice escalonado o gradiente (ridge, buried heterostructure) confina fotones y portadores.
- Contactos: Metálicos (AuGeNi n-side, Ti/Pt/Au p-side). Disipación térmica crítica (submount CuW, diamante).
Características ópticas clave
| Parámetro | Descripción | Typical |
|---|---|---|
| Longitud onda (λ) | Color / banda. Determinada por banda prohibida material y quantum well. | 405 nm (Blu-ray), 445 nm (azul), 520 nm (verde), 638/650 nm (rojo), 780 nm (CD), 850/980 nm (fibra/pump), 1310/1550 nm (telecom) |
| Ancho espectral (Δλ) | Monocromaticidad. FP: 1-3 nm. DFB/DBR/VCEL: <0.1 nm (MHz-GHz). | FP: 1-3 nm. DFB: <0.01 nm. |
| Potencia óptica (Po) | Salida CW o pico pulsado. Limitada por daño faceta (COD), térmico. | mW (puntadores) a kW (barras/arrays) |
| Divergencia (θ∥, θ⊥) | Ángulo haz (paralelo/perpendicular a unión). Elíptico. Requiere colimación. | θ∥ 8-12°, θ⊥ 30-45° (monomodo). Multimodo mayor. |
| Umbral (Ith) | Corriente donde ganancia = pérdidas. Inicio emisión láser. | 10-50 mA (monomodo), 100-500 mA (multimodo) |
| Eficiencia pendiente (ηd) | dP/dI sobre umbral. W/A. | 0.5-1.2 W/A (monomodo) |
